Похожие работы на «Технология получения монокристаллического Si »

Технология получения монокристаллического Si
Радиоэлектроника, Технология получения монокристаллического Si , Рефераты ... кристаллическая решетка кремния |4 | |дефекты реальных кристаллов кремния |4 | |Этапы производства кремния |9 | |Получение технического кремния |10 ...
... получение кремния в виде поликристаллических стержней; 4. конечная очистка кремния методом кристаллизации; 5. выращивание легированных монокристаллов ...


Кремний
Химия, Кремний, Реферат ... связи Si-Si мала, 176 кдж/моль (42 ккал/моль); в отличие от углерода, для К. не характерно образование длинных цепей и двойной связи между атомами Si.
... в следующем: в расплавленный материал опускают стержень, на конце которого имеется кристалл данного материала; он служит зародышем будущего ...


Печатные платы
Технология, Печатные платы, Реферат ... а примесную проводимость, поскольку в ходе химической реакции в кремний будут внедряться акцепторные атомы бора или донорные атомы фосфора.
... n+ область в) а) б) С R С Б С R К Э [pic] Э Б К 5 6 2 1 3 4 Si Si Si Si Si Si Si Si n n n [pic] [pic] [pic] [pic] [pic] [pic] [pic] [pic] [pic] [pic] ...


Кремний, полученный с использованием геттерирования расплава [нестрогое соответствие]
Химия, Кремний, полученный с использованием геттерирования расплава, Экспериментальные данные показывают, что при добавлении этих металлов в расплав кислород связывается в жидком кремнии в прочные комплексы, содержащие ...
... могут быть реализованы в случае образования комплекса из двух точечных дефектов: атом примеси-собственный точечный дефект или атом примеси-атом другой ...


Технология производства полупроводниковых материалов типа А2В6 [нестрогое соответствие]
Технология, Технология производства полупроводниковых материалов типа А2В6, Курсовая ... ориентацией, с оптимальными размерами и стехеометрической формой; 2) влияние условий выращивания монокристаллов на возникновение в них линейных и ...
... из растворов кристаллизуемого вещества в чистом растворителе или в растворителе, содержащем примесь; 3) рост из паровой фазы, когда она состоит из ...


Кристаллы и их свойства [нестрогое соответствие]
Физика, Кристаллы и их свойства, Реферат ... одном из узлов кристаллической решетки (рис.7.в). Особую роль в процессе роста кристалла играют несовершенства его структуры, называемые дислокациями ...
... охладить один небольшой участок расплава и получить в нем "зародыш" кристалла, А затем, последовательно охлаждая расплав, окружающий "зародыш", дать ...


Монокристаллический кремень [нестрогое соответствие]
Химия, Монокристаллический кремень , Рефераты ... по методу Чохральского заключаеться в затвердевании атомов жидкой фазы на границе раздела Скорость роста определяеться числом мест на поверхности ...
К сожалению,расплавленный кремний растворяет почти все используемые материалы (например карбиды тугоплавких металлов TiC или TaC,тем самым способствуя ...


Твердые кристаллы [нестрогое соответствие]
Геология, Твердые кристаллы, Курсовая Основная часть....................4-35 1.Что такое кристалл................4-5 2. Монокристаллы и кристаллические агрегаты........5-6 3.Симметрия в ...
... было доказано на опыте, Федоров считал несомненным, что внешние грани кристалла соответствуют его плоским сеткам, т. е. тем плоскостям кристаллических ...


Химия, элементы таблицы Менделеева [нестрогое соответствие]
Химия, Химия, элементы таблицы Менделеева , Лекции ... по типу R R R R R R ( ... ( -Si-O-Si-O-Si-O- или -Si-O-Si-O-Si-O- ( ... ( R R R R O R ( полимерных молекул определяются в основном отношением числа ...
Si-Si Si-H Si-O Si-S Si-N Si-C Si-F Si-Cl Si-Br Si-I Длина, пм .


Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании [нестрогое соответствие]
Химия, Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании, ... после зонной | | | |плавки (один проход расплавленной зоной)........... |10 | |1.2.1|Расчет распределения Si-Ga................. |10 | |1.2.2|Расчет ...
... время диффузии 30мин... |28 | |1.4.2|Диффузия из бесконечного источника примеси на поверхности | | | |пластины при Т=9500 С, и времени диффузии 30 мин ...