Похожие работы на «Вакансионное Распухание »

Вакансионное Распухание
Разное, Вакансионное Распухание , Рефераты ... pic] (1)-(2) где Сv., С i - усредненные концентрации вакансий и межузельных атомов; к -скорость образования пар Френкеля; ( - атомный объем; Ns -число ...
... pic] (20)-(21) где Сth( -термическая концентрация точечных дефектов на поверхности поры; Сt( -термически равновесная концентрация точечных дефектов.


Порошковая металлургия и свойства металлических порошков
Металлургия, Порошковая металлургия и свойства металлических порошков, Реферат Вблизи изолированной поры концентрация вакансий выше равновесной возрастает с уменьшением пор.
... порошок, создавая избыточные точечные дефекты, а также активировать процесс, вызывая генерирование точечных дефектов и неустойчивые состояния границ.


Кремний, полученный с использованием геттерирования расплава [нестрогое соответствие]
Химия, Кремний, полученный с использованием геттерирования расплава, ... реализованы в случае образования комплекса из двух точечных дефектов: атом примеси-собственный точечный дефект или атом примеси-атом другой примеси.
... 6) совместно с (3) и с соответствующими начальными и граничными условиями описывает эволюцию поля концентраций примесных комплексов С(r), а при t( ...


Кристаллы в природе [нестрогое соответствие]
Физика, Кристаллы в природе, Реферат ... характеристик механических свойств твёрдого тела и сравнение её с результатами эксперимента 30 4.4 Точечные дефекты и причины их образования 31 4.5 ...
... могут быть атомы внедрения, т.е. лишние атомы, поместившиеся в промежутках между атомами, расположенными в узлах кристаллической решётки (рис 48б) ...


Кристаллы в природе [нестрогое соответствие]
Физика, Кристаллы в природе, Реферат ... характеристик механических свойств твёрдого тела и сравнение её с результатами эксперимента 30 4.4 Точечные дефекты и причины их образования 31 4.5 ...
... могут быть атомы внедрения, т.е. лишние атомы, поместившиеся в промежутках между атомами, расположенными в узлах кристаллической решётки (рис 48б) ...


Технология получения монокристаллического Si [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Технология получения монокристаллического Si , Рефераты Точечные дефекты К точечным дефектам относятся: . дефекты по Шоттки, . дефекты по Френкелю, . атомы примеси в положении замещения, . атомы примеси в ...
... возникают за счет параллельного смещения атомов одной плоскости относительно другой на одинаковое расстояние b в направлении параллельном возможному ...


Технология производства полупроводниковых материалов типа А2В6 [нестрогое соответствие]
Технология, Технология производства полупроводниковых материалов типа А2В6, Курсовая ... общ =[Vмm]= KVm = KVKvKa,..Kam,./ Klm/'2 Если энергия образования вакансии меньше энергии, выигрываемой при захвате электрона вакансий (Е2- Е4>Нv), то ...
... процессов, которые происходят в кристаллах, содержащих значительное количество точечных дефектов, должна в значительной мере зависеть от природы и ...


Сверхпластичность [нестрогое соответствие]
Разное, Сверхпластичность , Рефераты ... стадия IV - следствие движения вакансий к стокам, таким как дислокации или другие вакансии; аннигиляция дислокаций происходит на стадии IV.
Работа, необходимая для преодоления связи между вакансиями и дислокациями, равна [pic], где l - среднее расстояние между вакансиями вдоль линии ...


Структура и свойство материалов (из конспекта лекций) [нестрогое соответствие]
Физика, Структура и свойство материалов (из конспекта лекций) , Шпаргалки ... нульмерные) малы во всех 3 измерениях - вакансии, межузельные атомы; линейные (одномерные) малы в двух измерениях, а в третьем они большего размера ...
... могут одновременно образовываться при перемещении атома из его нормального положения в узле решётки (при облучении ядерными частицами); по механизму ...


Материалы ядерной энергетики [нестрогое соответствие]
Физика, Материалы ядерной энергетики , Рефераты В результате увеличения подвижности атомов и дефектов, а также в зависимости от физических и атомных параметров вещества и некоторых внешних факторов, ...
... в то время как при облучении даже в области низких температур иногда наблюдаются ассоциации дефектов, которые могут образоваться только в результате ...