Похожие работы на «Травление п/п ИМС »

Травление п/п ИМС
Радиоэлектроника, Травление п/п ИМС , Доклад Плазменное травление В плазменном травлении, которое иногда называют физическим травлением, реализуется хорошо известный и широко применяемый ...
В подобных реакторах обрабатываемые подложки помещаются в центре вакуумной камеры, а ВЧН-разряд создается внешней катушкой (см. рис.4). Таблица 1. ...


Жидкостное химическое травление [нестрогое соответствие]
Химия, Жидкостное химическое травление, ... 0.25 мкм. для получения 1-мкм линии при умеренно анизотропном травлении (D/L=3) изображение в резисте следует делать на 0.2 мкм меньше 1 мкм, а ширина ...
... слой в область меньшей концентрации. ведет к увеличению S. При ионно-плазменном или реактивно-ионном травлении может происходить эрозия резиста.


Жидкостное химическое травление [нестрогое соответствие]
Разное, Жидкостное химическое травление , Рефераты ... 0.25 мкм. для получения 1-мкм линии при умеренно анизотропном травлении (D/L=3) изображение в резисте следует делать на 0.2 мкм меньше 1 мкм, а ширина ...
... слой в область меньшей концентрации. ведет к увеличению S. При ионно-плазменном или реактивно-ионном травлении может происходить эрозия резиста.


Ионный источник Кауфмана [нестрогое соответствие]
Технология, Ионный источник Кауфмана, Реферат ... источника направлены на решение следующих задач: возбуждение разряда и обеспечение заданной концентрации заряженных частиц в газоразрядной камере, ...
... создания сверхбольших и сверхскоростных ИС (СБИС и ССИС) широко используются ионные, ионно-плазменные и плазмохимические процессы взаимодействия ...


Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин [нестрогое соответствие]
Химия, Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин, Реферат ... передают их атомам свою энергию и импульс. * Ионное травление - процесс удаления загрязнений вместе с распыляемым в вакууме поверхностным слоем ...
... основано на разрушении обрабатываемого материала ионами активных газов, образующимися в плазме газового разряда и вступающими в химическую реакцию с ...


Вторично-ионная масса спектрометрия [нестрогое соответствие]
Физика, Вторично-ионная масса спектрометрия, ... в толще образца (3). Если соударяющиеся с поверхностью образца ионы передают настолько большой импульс, что полностью освобождают от связей один или ...
... а также положительных и отрицательных ионов химически активного газа (например, О2+ и О-). Ионы активных газов нужны при объемном анализе твердого ...


Технологические основы электроники [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Технологические основы электроники, Реферат ... распыленного материала катода, который, двигаясь вдоль подложки к "ямам" потенциального рельефа, приводит к быстрому образованию крупных кристаллов.
... распыленных атомов на подложку, в то время как плотность потока остаточных газов на подложку имеет примерно тот же порядок, что и при термическом ...


Метод ВИМС [нестрогое соответствие]
Технология, Метод ВИМС, ... в толще образца (3). Если соударяющиеся с поверхностью образца ионы передают настолько большой импульс, что полностью освобождают от связей один или ...
... а также положительных и отрицательных ионов химически активного газа (например, О2+ и О-). Ионы активных газов нужны при объемном анализе твердого ...


Методика формирования понятия Плазма в школьном курсе физики [нестрогое соответствие]
Физика, Методика формирования понятия Плазма в школьном курсе физики, Курсовая ... 12 *** Материал для спецкурса по физике по теме "ПЛАЗМА"......13 4. Заключение...........................31 5. Используемые источники информации. ...
... т.е. частично или полностью ионизованный газ, в котором объемные плотности положительных [pic] и отрицательных [pic] зарядов практически одинаковы по ...


Термоядерный реактор [нестрогое соответствие]
Физика, Термоядерный реактор , Рефераты ... до такой температуры представляет собой хотя и трудную, но вполне разрешимую задачу: ведь плотность плазмы в реакторе примерно в 100 тыс. раз меньше ...
Как указывалось выше, в термоядерном реакторе плотность DT-плазмы должна превышать [pic], поэтому [pic] составляет примерно 1 с. Величина [pic] ...