Похожие работы на «Жидкостное химическое травление »

Жидкостное химическое травление
Разное, Жидкостное химическое травление , Рефераты ... d |1.5 d |1.5 d | |Изотропный3) |0.8 |0.6 |0.5 |1.0 d |1.0 d |1.0 d | |Анизотропный4) |0.7 |0.9 |1.1 |(0.1-1.|<0.1 d |<0.1 d | ... | |0)d | | | 1) d- ...
... травители для кремния. | | | |Травитель |Применение | | | | |HF, HNO3, CH3COOH |Все разновидности Si | |HF, HNO3, CH3COOH |Низкоомный Si | |HF, KMnO4, ...


Жидкостное химическое травление
Химия, Жидкостное химическое травление, ... d |1.5 d |1.5 d | |Изотропный3) |0.8 |0.6 |0.5 |1.0 d |1.0 d |1.0 d | |Анизотропный4) |0.7 |0.9 |1.1 |(0.1-1.|<0.1 d |<0.1 d | ... | |0)d | | | 1) d- ...
... травители для кремния. | | | |Травитель |Применение | | | | |HF, HNO3, CH3COOH |Все разновидности Si | |HF, HNO3, CH3COOH |Низкоомный Si | |HF, KMnO4, ...


Травление п/п ИМС [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Травление п/п ИМС , Доклад ... 3. сушка (удаление | | |растворителя и перевод| | |резиста в твердую | | |растворимую фазу) | | |4. совмещение | | |фотошаблона и | | |экспонирование ...
... камеры, а ВЧН-разряд создается внешней катушкой (см. рис.4). Таблица 1. Материалы для которых необходимы процессы травления |Материал |Применение ...


Технология получения монокристаллического Si [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Технология получения монокристаллического Si , Рефераты ... ТХС) |11 | |Очистка ТХС |13 | |Другие методы получения газовых соединений Si |15 | |Восстановление очищенного трихлорсилана |16 | |Получение ...
... может быть легко восстановлено; 3. очистка и восстановление соединения, получение кремния в виде поликристаллических стержней; 4. конечная очистка ...


Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС) [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС) , Работа Курсовая ... bрасч = max{ bP , bточн } |R1 - R4 : |bрасч = 3,5183 мкм | |R5 : |bрасч = 34, 1512 мкм | Расчеты b для R1 - R4 дают значение ширины резистора меньше ...
... pic] |( 6.5 ) | В нашем случае [pic]=82,6 мкм 4. Выбираем расстояние координатной сетки для черчения h равным 1 мм, масштаб M выбираем равным 500:1. ...


Безкорпусная герметизация полупроводниковых приборов [нестрогое соответствие]
Технология, Безкорпусная герметизация полупроводниковых приборов, Курсовая ... различные методы, основанные на следующих реакциях взаимодействия : силана с аммиаком, тетрахлорида кремния с аммиаком, силана с гидрозином, ...
... которой разложением этилокремниевой кислоты наращивается плёнка окиси кремния, которую сплавляют с нижним слоев стекла при темературе 700-900 С . В ...


Кремний [нестрогое соответствие]
Химия, Кремний, Реферат Большая энергия связи с кислородом Si-O, равная 464 кдж/моль (111 ккал/моль), обусловливает стойкость его кислородных соединений (SiO2 и силикатов).
Энергия связи Si-Si мала, 176 кдж/моль (42 ккал/моль); в отличие от углерода, для К. не характерно образование длинных цепей и двойной связи между ...


Химия, элементы таблицы Менделеева [нестрогое соответствие]
Химия, Химия, элементы таблицы Менделеева , Лекции ... по типу R R R R R R ( ... ( -Si-O-Si-O-Si-O- или -Si-O-Si-O-Si-O- ( ... ( R R R R O R ( полимерных молекул определяются в основном отношением числа ...
Si-Si Si-H Si-O Si-S Si-N Si-C Si-F Si-Cl Si-Br Si-I Длина, пм .


Литография высокого разрешения в технологии полупроводников [нестрогое соответствие]
Технология, Литография высокого разрешения в технологии полупроводников, ... для жидкостного травления важен не профиль изображения в резисте, а его ширина, уход размеров в пределах (1 мкм при жидкостном проявлении совместим с ...
... слоем из металла и толщиной чувствительного слоя 0.1-0.2 мкм; в) использование электронных пучков с энергией 50-100 кэВ; г) обработка верхнего слоя ...


Субмикронная литография [нестрогое соответствие]
Технология, Субмикронная литография, ... для жидкостного травления важен не профиль изображения в резисте, а его ширина, уход размеров в пределах (1 мкм при жидкостном проявлении совместим с ...
... слоем из металла и толщиной чувствительного слоя 0.1-0.2 мкм; в) использование электронных пучков с энергией 50-100 кэВ; г) обработка верхнего слоя ...