Похожие работы на «Расчет параметров ступенчатого p-n перехода (zip 860 kb) »

Расчет параметров ступенчатого p-n перехода (zip 860 kb)
Радиоэлектроника, Расчет параметров ступенчатого p-n перехода (zip 860 kb) , Работа Курсовая ... n (p) -области p-n-перехода Ls - дебаевская длина N - результирующая концентрация примеси n (p) - концентрация электронов (дырок) в полупроводнике n0 ...
... ni - собственная концентрация носителей заряда nn (np ) - концентрация электронов в n (р) области nno (npo) - равновесная концентрация электронов в n ...


Лекции по твердотельной электронике
Радиоэлектроника, Лекции по твердотельной электронике , Лекции Конспекты студенческие ... основных носителей примерно равна концентрации легирующей примеси (pp0 = Na, nn0 = Nd), и произведение равновесных концентраций электронов и дырок в ...
... задаются либо концентрация неосновных носителей заряда на границе, либо значение инжекционного тока (тока неосновных носителей заряда) на границе при ...


Анализ погрешностей волоконно-оптического гироскопа
Радиоэлектроника, Анализ погрешностей волоконно-оптического гироскопа , Диплом и связанное с ним Характер распределения электронов по возможным энергетическим состояниям в полупроводнике зависит от концентрации легирующей примеси и температуры.
... потенциал на границе раздела полупроводников снижается и через переход начинает протекать ток основных носителей дырок из р-области и электронов из n- ...


Полупроводники, р-n переход [нестрогое соответствие]
Физика, Полупроводники, р-n переход , Рефераты ... являются дырки, образовавшиеся в результате захвата электронов атомами примеси (акцепторы при этом становятся отрицательными ионами); кроме того, в ...
... двойной электрический слой, образованный отрицательными ионами акцепторной примеси, заряд которых теперь не компенсируется дырками, и положительными ...


Расчет разветвленной электрической цепи постоянного тока [нестрогое соответствие]
Физика, Расчет разветвленной электрической цепи постоянного тока , Работа Курсовая ... то этот опыт позволяет не только предположить существование в металле свободных зарядов, но и определить знак зарядов, их массу и величину (точнее, ...
... закону Фарадея равен: q= +- nF/ Na Заряд одновалентного иона (л = 1) равен по абсолютному значению заряду электрона: q=e=1,602*10-19 Kл Таким образом, ...


Туннелирование в микроэлектронике [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Туннелирование в микроэлектронике , Работа Курсовая ... на контакте -V. Последующие электроны должны преодолевать возникающий потенциальный барьер -qV, величина которого непрерывно увеличивается с ростом ...
... от десятых долей вольта до нескольких вольт, но при этом из-за большой концентрации носителей заряда в металлах в создании Vk участвуют всего около ...


Лекции по твердотельной электронике [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Лекции по твердотельной электронике , Лекции Конспекты студенческие ... Iкn = ?nIэp =?nIкат, где Iкp, Iэp, Iкn - соответственно управляемые дырочные и электронные токи эмиттера и коллектора, ?p и ?n коэффициенты передачи ...
... канала постоянны, на поверхности выполняется условие сильной инверсии (Uз > Uп), заряд на поверхностных состояниях постоянен и не зависит от изгиба ...


Полимерные электреты [нестрогое соответствие]
Физика, Полимерные электреты , Работа Курсовая ... при данной температуре значение В полупроводниках и диэлектриках при температурах, отличных от ОК, в состоянии термодинамического равновесия имеется ...
... j(x,t) в общем случае состоит из двух компонент: тока равновесной (собственной, омической) проводимости [pic] связанного с движением в электрическом ...


Исследование взаимосвязи электрофизических параметров кремния полученного методом карботермического восстановления от технологии его получения [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Исследование взаимосвязи электрофизических параметров кремния полученного методом карботермического восстановления от технологии его ... ... и дырок, при внешнем воздействии, выглядит так: d(n/dt = Gn-Rn d(p/dt = Gp-Rp (1.3) Gn , Gp - означает темп генерации Rn , Rp - соответственно темп ...
... 1.4) Иначе говоря, 1/( есть вероятность исчезновения одного избыточного заряда из одной зоны в единицу времени в следствии рекомбинации d(n/dt = Gn-(n ...


Электронно-дырочный переход [нестрогое соответствие]
Физика, Электронно-дырочный переход, Реферат ... дырок в дырочной области выше, чем в электронной(pp>pn), а концентрация электронов в электронной области выше, чем в дырочной(nn>np), на границе ...
... поля E в переходе: [pic] Таким образом, в электронно-дырочном переходе всегда существуют градиент концентрации заряда, вызывающий диффузию дырок и ...