Похожие работы на «Печатные платы»

Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин
Химия, Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин, Реферат Для изготовления полупроводниковых ИМС применяют в основном полупроводниковые монокристаллические подложки (полупроводниковые пластины), а для ...
... этапов производства ИМС и включает в себя следующие операции: ориентацию слитков по кристаллографическим осям, резку слитков на пластины, шлифование, ...


Печатные платы
Технология, Печатные платы, Реферат 6.4 Изготовление биполярных ИМС с комбинированной изоляцией В основу изготовления полупроводниковых биполярных ИМС с комбинированной изоляцией ...
... процесса диффузии примесей. а) - локальная диффузия в пластину; б) - локальная диффузия в эпитаксиальный слой; в) - общая диффузия на одной из ...


Полупроводниковые пластины. Методы их получения [нестрогое соответствие]
Технология, Полупроводниковые пластины. Методы их получения, ... шлифовальной головки, а также надежность крепления. § 7. Шлифование пластин свободным и связанным абразивом Основным назначением шлифования ...
... деформации шлифовальников, которые могут снизить точность обработки, и поддерживает одинаковую вязкость абразивной суспензии во времени, что важно для ...


Безкорпусная герметизация полупроводниковых приборов [нестрогое соответствие]
Технология, Безкорпусная герметизация полупроводниковых приборов, Курсовая ... 1)*Si(OcnH2n+1), где n= 1,2,3,4. При нанесение плёнок стекла на окислые слои толщиной менее 200нм возможно проникновение ионов из стекла через окисный ...
... приборов и интегральных микросхем" 4. В.А. Брук "Производство полупроводниковых приборов" 5. Парфёнов "Технология микросхем" 6. В.А. Антонов ...


Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании [нестрогое соответствие]
Химия, Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании, ... 21 | |1.3.2| Распределение примеси при диффузии из постоянного источника в | | | |полубесконечное тело..................... |22 | |1.3.3|Распределение ...
... 28 | |1.4.2|Диффузия из бесконечного источника примеси на поверхности | | | |пластины при Т=9500 С, и времени диффузии 30 мин....... |29 | |1.4.3| ...


Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС) [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС) , Работа Курсовая ... подложки; окисление; фотолитография; диффузия; эпитаксия; ионное легирование, металлизация Элементы биполярных интегральных структур создаются в ...
... и фотолитографии повторяются, после чего проводится двухстадийная диффузия бора: первая при температуре 950-1000 °С, вторая при температуре 1150-1200 ...


Технологические основы электроники [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Технологические основы электроники, Реферат ... по контуру будущих элементов; г - глубокое окисление кремния; д - стравливание нитрида кремния и окисление поверхности; е-готовая структура после ...
... помощью оксидной маски (образование островков); в-избирательная диффузия акцепторной примеси; г - снятие маски с островков; д - маскирование островков ...


Оборудование для ориентации полупроводниковых пластин [нестрогое соответствие]
Технология, Оборудование для ориентации полупроводниковых пластин , Рефераты ... переходов и получения невыпрямляющих контактов, изготовление корпусов, сборки приборов, измерения из параметров, испытания и выполнения заключительных ...
... и направлений в кубическом кристалле Рис.3 Схема ориентации пластины оптическим методом (а) и получающиеся при этом световые фигуры (б). Таблица 1. ...


Свойства сплавов кремний-германий и перспективы Si1-xGex производства [нестрогое соответствие]
Физика, Свойства сплавов кремний-германий и перспективы Si1-xGex производства , Рефераты Они наблюдались в монокристаллах сплавов германия с 6 ат.% кремния, германия с 0.2 ат.% олова и германия с 0.2 ат.% бора, но никогда не были ...
... сплавов с кислородом Присутствие германия в кремнии влияет на образование дефектов и кислородсодержащих термодоноров, как во время роста, так и во ...


Технология получения монокристаллического Si [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Технология получения монокристаллического Si , Рефераты ... Si |15 | |Восстановление очищенного трихлорсилана |16 | |Получение поликристаллических кремния из моносилана SiH4 |18 | |Производство монокристаллов ...
... может быть легко восстановлено; 3. очистка и восстановление соединения, получение кремния в виде поликристаллических стержней; 4. конечная очистка ...