Похожие работы на «Технологические основы электроники»

Технологические основы электроники
Радиоэлектроника, Технологические основы электроники, Реферат ... т.е. количество вещества в граммах, распыленного с 1 см2 катода в 1 с, определяется для аномально тлеющего разряда выражением w=k(u-uНК)J/(pL) (5) где ...
... характер по поверхности и во времени; 2) плотность потока атомов на подложку приблизительно на порядок ниже, что обусловливает более низкие скорости ...


Расчет неинвертирующего усилителя
Радиоэлектроника, Расчет неинвертирующего усилителя, Курсовая ... 2 - открытый слой; 3- эпитаксиальный слой (он же коллекторный); 4 - разделительный слой; 5 - базовый слой; 6 - эмиттерный слой; 7 - изолирующий слой с ...
... в разряде (область зажигания разряда I). При увеличении тока разряда за счёт уменьшения сопротивления Rн площадь катода-мишени, покрытая разрядом, ...


Физические свойства вакуумно-плазменных покрытий для режущего инструмента
Технология, Физические свойства вакуумно-плазменных покрытий для режущего инструмента , Работа Курсовая ... к системам распыления диодного типа, в которых атомы распыляемого материала удаляются с поверхности мишени при ее бомбардировке ионами рабочего газа ...
... рабочего газа (5(10-1 -10 Па) - отсутствие перегрева подложки - малая степень загрязнения пленок - возможность получения равномерных по толщине пленок ...


Использование альтернативных источников энергии
Химия, Использование альтернативных источников энергии, Реферат ... пробой своеобразного электролитического конденсатора и начнется разряд ионов с образованием на катоде свободного водорода, а на аноде кислорода и ...
... слоя) в а-Si:Н. При нанесении аморфного кремния на металлическую подложку образуется нежелательный потенциальный барьер а-Si:Н/металлическая подложка, ...


Магнетронные распылительные системы [нестрогое соответствие]
Физика, Магнетронные распылительные системы, Реферат ... типа, в которых распыление материала происходит за счет бомбардировки поверхности мишени ионами рабочего газа, образующимся в газе аномально тлеющего ...
... 5 - траектория движения электрона кновений с атомами рабочего газа, в результате которых электрон потеряет полученную от электрического поля энергию.


Тонкопленочные элементы интегральных схем [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Тонкопленочные элементы интегральных схем, Курсовая ... от друга островков, то в зависимости от того, какая энергия связи больше: между материалом пленки и материалом загрязнения или же между материалом ...
... в том числе тугоплавких) и перекристаллизацию пленок; микрофрезерование пленок; микросварку и микропайку с целью подсоединения выводов ИС, а также ...


Электрический ток в газах [нестрогое соответствие]
Физика, Электрический ток в газах , Рефераты ... возникают вследствие отщепления от атомов газа одного или нескольких электронов, в результате чего вместо нейтрального атома возникают положительный ...
... в результате чего нейтральный атом превращается в положительный ион, а в газе появляются новые электроны (об этом будет рассмотрено позднее) ...


Вакуумное напыление [нестрогое соответствие]
Технология, Вакуумное напыление, Реферат ... магнетронного распылителя основано на распылении материала мишени-катода при его бомбардировке ионами рабочего газа, образующими в плазме аномально ...
Метод магнетронного распыления с постоянной силой тока не позволяет получать плёнки оксидов при высокой скорости распыления из за резкого окисления ...


Ток в различных средах [нестрогое соответствие]
Физика, Ток в различных средах , Работа Экзаменационная ... возникают вследствие отщепления от атомов газа одного или нескольких электронов, в результате чего вместо нейтрального атома возникают положительный ...
... в результате чего нейтральный атом превращается в положительный ион, а в газе появляются новые электроны (об этом будет рассмотрено позднее) ...


Моделирование процессов ионной имплантации [нестрогое соответствие]
Химия, Моделирование процессов ионной имплантации, Курсовая ... коэффициент диффузии по узлам кристаллической решетки, а межузельные атомы кремния могут вытеснять атомы бора из ее узлов, что приведет к быстрой ...
... в кристалле, зарядам ядер ионов и атомов мишени, необходимо сделать расчет, конечным результатом которого послужит графическое представление расчета ...