Похожие работы на «Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин»

Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин
Химия, Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин, Реферат ... изготовления полупроводниковых ИМС применяют в основном полупроводниковые монокристаллические подложки (полупроводниковые пластины), а для пленочных и ...
... воде (удаление продуктов реакции предыдущей обработки); обработка в горячей (90-100°С) концентрированной азотной кислоте (удаление ионов металлов) ...


Травление п/п ИМС
Радиоэлектроника, Травление п/п ИМС , Доклад Так при травлении диоксида кремния на кремнии было достигнуто отношение скоростей травления до 35:1, тогда как для плазменных планарных систем это ...
Химическое травление потоком нейтральных частиц | | |Рис.10 cхема реактора для | |химического(радикального) травления | В системах травления на основе ...


Полупроводниковые пластины. Методы их получения
Технология, Полупроводниковые пластины. Методы их получения, ... обработки. § 8. Способы доводки полупроводниковых пластин полированием Полирование полупроводниковых пластин производят для удаления приповерхностных ...
... удаления загрязнений являются: растворение загрязнений в веществе; превращение загрязнений в растворимые продукты в результате химической реакции и ...


Печатные платы
Технология, Печатные платы, Реферат ... со стороны мезаобластей прикрепляют к вспомогательной пластине (рис 20,в), а ее обратную сторону подвергают шлифованию (рис 20,г) с последующим ...
... травление; г) - удаление SiO2 -маск, осаждение SiO2 -пленки; д) - выращивание поликристаллического кремния; е) - шлифовка со стороны исходной пластины ...


Гальванотехника и ее применение в микроэлектронике
Технология, Гальванотехника и ее применение в микроэлектронике , Рефераты ... Применение гальванотехники в микроэлектронике . |10 | | Удаление загрязнений с поверхности подложек ... |10 | | Электрохимическое нанесение пленок
... удаления загрязнений на поверхности и приповерхностном слое, в том числе тех, которые находятся в химической связи с материалом пластины или подложки, ...


Безкорпусная герметизация полупроводниковых приборов
Технология, Безкорпусная герметизация полупроводниковых приборов, Курсовая ... оксидов, сульфидов, нитридов и др.), образующиеся при химической и термической обработке полупроводниковых пластин и их хранении, а также газы и пары.
... при высоких температурах в вакууме) и химическими методами (растворением, эмульгированием, с помощью химических реакций) методами называют очисткой.


Жидкостное химическое травление [нестрогое соответствие]
Разное, Жидкостное химическое травление , Рефераты ... Н (теплоты растворения или испарения) (F=(Н-Т(S. (2) Например, реакция травления аморфного оксида кремния является эндотермической, (Н=+11 ккал/моль:
... является скоростью поверхностного процесса [r>1, уравнение 17]; 2) химический процесс на поверхности настолько быстр, что конвекция и диффузия не ...


Жидкостное химическое травление [нестрогое соответствие]
Химия, Жидкостное химическое травление, ... Н (теплоты растворения или испарения) (F=(Н-Т(S. (2) Например, реакция травления аморфного оксида кремния является эндотермической, (Н=+11 ккал/моль:
... является скоростью поверхностного процесса [r>1, уравнение 17]; 2) химический процесс на поверхности настолько быстр, что конвекция и диффузия не ...


Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС) [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС) , Работа Курсовая ... операциями при изготовлении ИМС являются: подготовка полупроводниковой подложки; окисление; фотолитография; диффузия; эпитаксия; ионное легирование, ...
1 - механическая обработка поверхности рабочей стороны кремниевой пластины р -типа до 14-го класса чистоты и травление в парах НСl для удаления ...


Технология получения монокристаллического Si [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Технология получения монокристаллического Si , Рефераты ... Получения трихлорсилана (ТХС) |11 | |Очистка ТХС |13 | |Другие методы получения газовых соединений Si |15 | |Восстановление очищенного трихлорсилана ...
... в виде поликристаллических стержней; 4. конечная очистка кремния методом кристаллизации; 5. выращивание легированных монокристаллов [pic] Основные ...