Похожие работы на «Математическое моделирование технологического процесса изготовления ТТЛ-инвертора»

Математическое моделирование технологического процесса изготовления ТТЛ-инвертора
Технология, Математическое моделирование технологического процесса изготовления ТТЛ-инвертора, Курсовая ... распределение примесей эмиттера и базы 2 Расчет слоевых сопротивлений биполярного транзистора Слоевые сопротивления для базовой и эмиттерной областей ...
... 20?103 |19.8?103 |20.20?103 | |R2 |1.5?103 |1.48?103 |1.51?103 | |R3 |8?103 |7.98?103 |8.08?103 | |R4 |120 |101.7 |123.52 | |R5 |3?103 |2.97?103 |3.03 ...


Расчёт и проектирование маломощных биполярных транзисторов [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Расчёт и проектирование маломощных биполярных транзисторов , Работа Курсовая ... Nэ(x) - концентрация примеси, формирующей проводимость эмиттера дрейфового транзистора; ni - равновесная концентрация электронов в собственном ...
... Iэ - ток эмитера; Iб - ток базы; Iко - обратный ток коллектора при разомкнутом эмиттере; Ikmax - максимально допустимый ток коллектора; Iген - ток ...


Транзисторы [нестрогое соответствие]
Физика, Транзисторы, Курсовая ... используется в активном режиме, где для смещения эмиттерного перехода в прямом направлении на базу транзистора типа p - n - p подают отрицательное ...
... отсечки Uотс и крутизна S. По напряжению отсечки полевые транзисторы можно условно разбить на три группы: с малым (до 4 в), средним (4 - 8 в) и ...


Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС) [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС) , Работа Курсовая ... СОДЕРЖАНИЕ Введение 3 1. Описание схемы для разработки 3 2. Определение электрических параметров схемы 4 3. Технологические этапы изготовления ИМС 5 4 ...
... и фотолитографии повторяются, после чего проводится двухстадийная диффузия бора: первая при температуре 950-1000 °С, вторая при температуре 1150-1200 ...


Анализ и моделирование биполярных транзисторов [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Анализ и моделирование биполярных транзисторов , Работа Курсовая ... заключается в том, что прямое напряжение эмиттерного перехода, т. е. участка база-эмиттер ([pic]), существенно влияет на ток коллектора: чем больше ...
... на нем уменьшаются и за счет этого возрастает напряжение на эмиттерном переходе, что приводит к еще большему увеличению тока, и т. д. Чтобы этого не ...


Электронны, квантовые приборы и микроэлектроника [нестрогое соответствие]
Коммуникации и связь, Электронны, квантовые приборы и микроэлектроника, Реферат ... коэффициенты передачи токов эмиттера и базы; дифференциальные сопротивления, барьерная и диффузионная емкости эмиттерного и коллекторного переходов; ...
... через h-параметры можно записать в следующем виде: [pic] Этой системе соответствует эквивалентная схема транзистора, где используются ранее ...


Физические основы электроники [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Физические основы электроники, Лекция ... первого источника (UЭБ = -UБЭ), а напряжение коллекторного перехода зависит от напряжений обоих источников и по общему правилу определения разности ...
... 3.14, в). Если работа происходит на линейных участках характеристик транзистора, то формы переменных составляющих токов базы и коллектора совпадают с ...


Лекции по твердотельной электронике [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Лекции по твердотельной электронике , Лекции Конспекты студенческие ... p и n областям возникает область пространственного заряда, причем электрические поля в эмиттерном и коллекторном переходе направлены так, что для pnp ...
... Предположим, что при измерениях задавали входное и выходное напряжения и измеряли входной и выходной токи, после чего результирующие вольтамперные ...


Электронные цепи и приборы (шпаргалка) [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Электронные цепи и приборы (шпаргалка) , Шпаргалки ... Uкэ и Iэ; обратные токи переходов Iкб0, Iэб0 при заданных обратных напряжениях соответственно Uкб и Uэб; обратный ток коллекторного перехода IкэR при ...
... внешнего резистора, подключенного между базой и эмиттером; максимально допустимая рассеиваемая мощность Pmax; максимально допустимый ток коллектора Iк ...


Разработка генератора сигналов на цифровых микросхемах [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Разработка генератора сигналов на цифровых микросхемах, Диплом ... при дальнейшем увеличении Uвых ); участок 2- активному режиму работы транзистора Т3 (при дальнейшем увеличении Uвых ); участок 3- инверсному активному ...
... Т2, работающего в активном режиме или в режиме насыщения , равна 0,7 В; напряжение на диоде Д также равно 0,7 В; 1) в качестве границы насыщения для ...