Похожие работы на «Конструирование микросхемы, разработка топологии»

Конструирование микросхемы, разработка топологии
Технология, Конструирование микросхемы, разработка топологии, Курсовая ... плёнки для каждого слоя по формуле (значения Rопт см. таблицу 1): Зная Rопт для каждого слоя, можем выбрать материал резистивной плёнки, контактных ...
... с подслоем хрома (нихрома) ( = -4(10-4 P0 = 2 Вт/см2 Зная величину каждого резистора и Rо слоя, в котором он находятся, можно найти коэффициент формы


Безкорпусная герметизация полупроводниковых приборов [нестрогое соответствие]
Технология, Безкорпусная герметизация полупроводниковых приборов, Курсовая ... Марка цеолита | | |KA |NaK |CaA |NaX |CaX | |Насыпная масса, г/см2 |0,62 |0,65 |0,65 |0,6 |0,6 | |Механическая прочность на |4(106|5(106|5(106|4(106|4 ...
... диаметром, мм: | ... | |4,5 |- |- |- |52 |52 | |3,6 |- |- |- |65 |62 | |2,0 |- |- |- |68 |65 | |Потери при прокаливании, мас. % |5 |5 |5 |5 |5 ...


Конструирование микросхем и микропроцессоров [нестрогое соответствие]
Программирование и комп-ры, Конструирование микросхем и микропроцессоров, ... pic], где Rн - номинальное сопротивление резистора; [pic]- относительная погрешность контактирования; [pic] - удельное поверхностное сопротивление; ...
... pic], где Rн - номинальное сопротивление резистора; [pic]- относительная погрешность контактирования; [pic] - удельное поверхностное сопротивление; ...


ПРОЕКТИРОВАНИЕ И КОНСТРУИРОВАНИЕ СВЧ ИНТЕГРАЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, ПРОЕКТИРОВАНИЕ И КОНСТРУИРОВАНИЕ СВЧ ИНТЕГРАЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ, Курсовая ... фоторезиста, искажение профиля проводников при травлении слоя меди с адгезионным подслоем. [pic] Общими недостатками указанных маршрутов изготовления ...
... или охлаждении системы из-за жесткости конструкции могут возникнут внутренние напряжения в подложке и, как результат ее механическое разрушение или ...


Расчет неинвертирующего усилителя [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Расчет неинвертирующего усилителя, Курсовая ... же коллекторный); 4 - разделительный слой; 5 - базовый слой; 6 - эмиттерный слой; 7 - изолирующий слой с контактными окнами; 8 - слой металлизации; 9 ...
... равной площади кристалла, то тепловой, поток через слой однороден и тепловое сопротивление слоя R [К/Вт]=h/(? s), где ? - коэффициент теплопроводности ...


Усилитель для воспроизведения монофонических музыкальных программ [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Усилитель для воспроизведения монофонических музыкальных программ, Определение ориентировочной площади печатной платы Сначала рассчитаем суммарную площадь резисторов МЛТ-0,125 S1=n1ЧL1ЧD1 S1=22Ч6Ч2,2=290,4 мм2 где S1 ...
... 0,25, мм D2 - ширина резистора МЛТ-0,25, мм Рассчитаем суммарную площадь резисторов МЛТ-0,5: S3=n3ЧL3ЧD3 S3=2Ч10,8Ч4,2=90,72 мм2 где S3 - суммарная ...


Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС) [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС) , Работа Курсовая Концентрация примесей в слое может быть выше и ниже, чем в подложке, что обеспечивает возможность получения высокоомных слоев на низкоомной подложке.
... 0455 мкм | |R5 : |bточн = 1,0617 мкм | 5. Определяем минимальную ширину резистора bP , которая обеспечит заданную мощность Р: |[pic] |( 5.6) | где Р0 ...


Технологические основы электроники [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Технологические основы электроники, Реферат ... выводов (по аналогии с ситалловыми подложками тонкопленочных микросхем, контактирование осуществляется через контактные площадки элементов с помощью ...
... в одном из двух вариантов: либо в каждой позиции карусели (барабане) устанавливают подложку в комплекте с трафаретом (если таковые используют в данном ...


Отчет по практике [нестрогое соответствие]
Схемотехника, Отчет по практике, Реферат ... отверстия и производят их химическое меднение (рис.2,д). Далее следует удаление защитного слоя (рис.2,е) и гальваническое осаждение меди на проводники ...
... с пробельных мест Обработка плат по контуру Удаление маски Создание базовых отверстий Прессование слоев МПП Сверление межслойных отверстий Подготовка ...


Электронный документооборот страхового общества [нестрогое соответствие]
Программирование и комп-ры, Электронный документооборот страхового общества , Рефераты ... 10 55 |17|.26/.2|30-|50-|1600x|1024x|13|TCO'95 |OSD, DDC, MM | |96 |" |5 |85 |120|1200 |768 |5 | ... |@65 |@100 | | | | |10 70 |17|.25/ |30-|50- ...
... 1200 |1200 |2.| | ... |@75 |@75 |5 | | | |10 80 |21|/.26 |30-|50-|1600x|1600x|25|TCO'95 |OSD, DDC | |15 |" | |115|160|1200 |1200 |0 | ... |@90 |@85 ...