Похожие работы на «Общие сведения об интегральных микросхемах»

Общие сведения об интегральных микросхемах
Радиоэлектроника, Общие сведения об интегральных микросхемах, Реферат ... pic] Рис 1. Пример условного обозначения ИС 1533ТМ2 Таблица 1. Подгруппы и виды ИС. |Подгруппа |Вид |Обозначени| | | |е | |А |импульсов прямоугольной ...
... комбинированные |ТК | | |прочие |ТП | |У |высокой частоты |УВ | |усилители |промежуточной частоты |УР | | |низкой частоты |УН | | |широкополосные |УК ...


Разработка программатора микросхем ПЗУ [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Разработка программатора микросхем ПЗУ , Диплом и связанное с ним ... как источника данных программирования и для контроля запрограммированных микросхем; 5. Обязательное наличие режимов "Входной контроль" и "Выходной ...
... на чистоту стирания; 3) подсчет контрольной суммы микросхемы; 4) считывания данных из микросхемы в буфер; 5) подбор микросхемы для программирования; 6 ...


Методы контроля в производстве интегральных микросхем [нестрогое соответствие]
Технология, Методы контроля в производстве интегральных микросхем, ... под нагрузку, окрашиваются в различные цвета, что позволяет, наблюдая ИМС под микроскопом, фиксировать изменение температуры с точностью до 0.5° С. ...
... кристалл содержит набор изолированных элементов, встречающихся в интегральной микросхеме (рис.1). Его размеры близки к размеру чипа и на пластине ...


Расчет неинвертирующего усилителя [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Расчет неинвертирующего усилителя, Курсовая ... элементы и соединения в котором конструктивно неразделимы и изготовлены одновременно в едином технологическом процессе в общем кристалле-основании.
... же коллекторный); 4 - разделительный слой; 5 - базовый слой; 6 - эмиттерный слой; 7 - изолирующий слой с контактными окнами; 8 - слой металлизации; 9 ...


Разработка для контроля и определения типа логических интегральных микросхем методом сигнатурного анализа [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Разработка для контроля и определения типа логических интегральных микросхем методом сигнатурного анализа , Диплом и связанное с ним ... 5в ТТЛ и +9в КМОП); 34) Разнообразное назначение выводов микросхемы (вход, выход, GND, +Uпит); не должно быть конфликтов в случае определения типа ...
... КМОП типа - +9в Регулируемое напряжение питания испытуемой микросхемы - +2...+9в Шаг регулировки напряжения питания - не более 0.05 в Максимально ...


ПРОЕКТИРОВАНИЕ И КОНСТРУИРОВАНИЕ СВЧ ИНТЕГРАЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, ПРОЕКТИРОВАНИЕ И КОНСТРУИРОВАНИЕ СВЧ ИНТЕГРАЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ, Курсовая ... и конструктивные основы СВЧ интегральных микросхем Интегральные микросхемы СВЧ диапазона могут быть выполнены как в монолитном, так и гибридно- ...
... окна фоторезистивной маски, наличие значительного разрастания элементов в случае тонкого слоя фоторезиста, искажение профиля проводников при травлении ...


Печатные платы [нестрогое соответствие]
Технология, Печатные платы, Реферат ... в которых транзисторы изготовляются в активном слое кремния, а пленочные резисторы и диоды - как и проводники на изолирующем слое двуокиси кремния.
... пластин контактных масок с окнами, соответствующими топологии формируемых технологических слоев, и дальнейшая передача топологии (рисунка) с маски на ...


Автоматизированные системы обработки информации и управления [нестрогое соответствие]
Программирование и комп-ры, Автоматизированные системы обработки информации и управления, Диссертация ... Мониторы с фиксированной частотой воспринимают синхросигналы какойлибо одной частоты, например, для кадровой развертки 60 Hz, а для строчной - 31,5 ...
... РЧ - радиочастота СБ - стационарная батарея ФАПЧ - фазовая автоподстройка частоты ФКС - федеральная комиссия связи 2 Принципы построения сотовой сети ...


Безкорпусная герметизация полупроводниковых приборов [нестрогое соответствие]
Технология, Безкорпусная герметизация полупроводниковых приборов, Курсовая ... и дисциплины производства, своевременного анализа и корректировки технологического процесса, построения оптимального технологического процесса.
... 3*106 В/см, температурный коэффициент ёмкости в интервале температур от -60 до +125 С на частоте 106 Гц равен (от 10 до 25)*10-5 1/С. Порошок ...


Транзисторы [нестрогое соответствие]
Физика, Транзисторы, Курсовая ... в соответствии с их разновидностью и перед последнем добавляется букв С. Обозначение типа транзисторов, разработанных до 1964 года, состоит из трёх ...
... pic] модуль крутизны входной характеристики составляет 70 % от своего значения на низких частотах, поэтому в технической литературе можно встретить и ...