Рефераты - Афоризмы - Словари
Русские, белорусские и английские сочинения
Русские и белорусские изложения
 

Похожие работы на «Полупроводниковые приборы и электронные лампы»


Полупроводниковые приборы и электронные лампы
Радиоэлектроника, Полупроводниковые приборы и электронные лампы, Доклад ... электронных ламп развивались очень быстро - появились лампы, содержащие не одну, а несколько сеток: тетроды (лампы с двумя сетками) и пентоды (лампы с ...
... в ней области - электропроводностью p - типа, такой транзистор будет структуры p - n - p. Если, наоборот, электропроводность пластинки p - типа, а ...


Узлы функциональной электроники
Радиоэлектроника, Узлы функциональной электроники, Лекция Рабочее напряжение(ток) Uраб ,Iраб - они выбираются больше, чем напряжение или ток срабатывания.
... 21 стеклянный; 31 слюдяной, малой мощности; 32 слюдяной, большой мощности; 40 бумажные, с рабочим напряжением менее 2 кВ; 41 бумажные, с рабочим ...


Электронные цепи и приборы (шпаргалка)
Радиоэлектроника, Электронные цепи и приборы (шпаргалка) , Шпаргалки ... fГр при заданных напряжении Uкэ и токе эмиттера; статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ h21Э при заданных напряжении Uкэ и Iэ; обратные токи ...
Многоэлектродные лампы (МЛ) - это электронные лампы с общим электронным потоком, содержащие анод, катод и сетки.


История развития электроники
Радиоэлектроника, История развития электроники , Лекции ... содержащую в вакууме, кроме угольной нити, еще металлическую пластинку А от которой был выведен проводник Р. Если соединить провод через гальванометр ...
... тока 6 - источник переменного напряжения 7 - амперметр Управляющий электрод (1) выполняет роль затвора, электрод (3) выполняет роль стока, электрод (4 ...


Билеты по физике за весь школьный курс
Физика, Билеты по физике за весь школьный курс , Билеты Полупроводниковый диод состоит из p-n перехода, т.е. из двух соединенных полупроводников разного типа проводимости.
... с колебаниями силы тока, колебания напряжения на конденсаторе отстают по фазе на [pic] от колебаний тока, колебания напряжения на катушке опережают по ...


Транзисторы [нестрогое соответствие]
Физика, Транзисторы, Курсовая ... а средняя - полупроводником с дырочной проводимостью, и транзистор типа p - n - p, когда крайние области являются полупроводниками с дырочной ...
... зон с различной проводимостью они могут быть прямой (p - n - p) или обратной проводимости (n - p - n). Транзисторы, у которых используется только один ...


Полупроводниковые диоды и транзисторы, области их применения [нестрогое соответствие]
Технология, Полупроводниковые диоды и транзисторы, области их применения, Реферат ... приборы (Строение и применение) 3. Типы полупроводниковых приборов 4. Производство 5. Область применения 1.Полупроводники : теория и свойства Сначала ...
... покрытая с одной стороны слоем селена, являющегося полупроводников с дырочной проводимостью вид на рис 7 . Поверхност селена покрыта сплавом кадмия, в ...


МОП-транзисторы [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, МОП-транзисторы , Работа Курсовая ... те же, как и у полупроводниковых диодов - отсутствие накалённого катода, потребляющего значительную мощность и требующего времени для его разогрева.
При некотором положительном напряжении затвор - исток транзистора с р - каналом или отрицательном напряжении транзистора с n -каналом ток в цепи стока ...


Полупроводниковые приборы [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Полупроводниковые приборы, Реферат По назначению полупроводниковые диоды подразделяются на выпрямительные диоды малой, средней и большой мощности, импульсные диоды и полупроводниковые ...
... трех слоев и их названия аналогичны, изменяется лишь тип носителей заряда, проходящий через базу: в приборах типа p-n-p - это дырки ,в приборах типа n ...


Лавинно-пролетный диод [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Лавинно-пролетный диод , Работа Курсовая ... было установлено, что при больших значениях обратного напряжения, превышающих пробивное, некоторые из диодов генерировали СВЧ колебания и в отсутствие ...
Так как участок, где происходит рождение подвижных носителей тока, в этом случае локализован в тонком слое, где электрическое поле максимально, такой ...


ref.by 2006—2022
contextus@mail.ru