Похожие работы на «Алмазные пленки»

Алмазные пленки
Радиоэлектроника, Алмазные пленки, Реферат ... алмазоподобных пленок ионным методом 3 Метод ионно-лучевого осаждения 3 Описание установки 6 Характеристики ионного источника 8 Синтез алмазных пленок ...
... тока пучка ионов от угла. | СИНТЕЗ АЛМАЗНЫХ ПЛЁНОК ПРИ ВЗАИМОДЕЙСТВИИ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ПЛАЗМЫ С ПОВЕРХНОСТЬЮ МОЛИБДЕНА Особый интерес для синтеза ...


Вторично-ионная масса спектрометрия [нестрогое соответствие]
Физика, Вторично-ионная масса спектрометрия, ... сведения о распределении 11 элемента по поверхности, со сканирующим ионным зондом Установки с прямым изображением 11 Порог чувствительности 12 Анализ ...
... дается выражением SА(=(А(САS, (1) где (А( - отношение числа вторичных ионов (положительных или отрицательных) элемента А к полному числу нейтральных и ...


Метод ВИМС [нестрогое соответствие]
Технология, Метод ВИМС, ... сведения о распределении 11 элемента по поверхности, со сканирующим ионным зондом Установки с прямым изображением 11 Порог чувствительности 12 Анализ ...
... дается выражением SА(=(А(САS, (1) где (А( - отношение числа вторичных ионов (положительных или отрицательных) элемента А к полному числу нейтральных и ...


Полупроводниковые пластины. Методы их получения [нестрогое соответствие]
Технология, Полупроводниковые пластины. Методы их получения, Процесс ионного внедрения характеризуется энергией ионов, плотностью тока ионного пучка, дозой облучения.
... и атомы легирующего элементa, то на границе раздела пленка - подложка можно получить p-n-переход или изотопные переходы n + -n и р + -р. Таким образом ...


Расчет неинвертирующего усилителя [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Расчет неинвертирующего усилителя, Курсовая ... поток атомов от испарителя к подложке представляет собой расходящийся пучок и поэтому плотность потока в плоскости подложки не равномерна: в центре ...
Это означает, что при напылении плёнки на неподвижную подложку в центральной области подложки образуется более толстая плёнка, нежели на краях ...


Технологические основы электроники [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Технологические основы электроники, Реферат ... что повышает однородность процесса и облегчает его автоматизацию (например, в установках непрерывного действия); 6) обеспечивать высокую адгезию ...
... 0,5 нм/с); 3) средняя энергия атомов, подлетающих к подложке, на 1-2 порядка более высокая; 4) наряду с нейтральными атомами в потоке присутствуют ...


Печатные платы [нестрогое соответствие]
Технология, Печатные платы, Реферат ... осуществляется путем бомбардировки пластины ионами примеси, ускоренными в специальных установках (ускорителях частиц) до значительной энергии.
На схеме установки ионного легирования (рис 13) ионы примеси из источника ионов входят в анализатор по массе.


Алмаз. Легенды и действительность [нестрогое соответствие]
Геология, Алмаз. Легенды и действительность , Работа Курсовая ... крошка и т.п. Единой классификации технических алмазов не существует, поскольку каждая отрасль промышленности предъявляет свои требования к их ...
В алмазе под действием заряженной частицы происходит световая вспышка и возникает импульс тока.


Тонкопленочные элементы интегральных схем [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Тонкопленочные элементы интегральных схем, Курсовая ... даже при высоких температурах, а сравнительно большая теплопроводность подложки препятствует возможности появления в схемах участков с повышенной ...
... от друга островков, то в зависимости от того, какая энергия связи больше: между материалом пленки и материалом загрязнения или же между материалом ...


Субмикронная литография [нестрогое соответствие]
Технология, Субмикронная литография, ... В, Р. Главным достоинством ионных пучков по сравнению с электронными является малое обратное рассеяние и, следовательно, минимальный эффект близости.
... литографии состоит в экспонировании пластины широким пучком ионов Н+, Не2+ или Ar+ через шаблон из золота на кремниевой мембране или поточечного ...