Рефераты - Афоризмы - Словари
Русские, белорусские и английские сочинения
Русские и белорусские изложения
 

Похожие работы на «Расчетно-Графическая работа ППД КД213А»


Расчетно-Графическая работа ППД КД213А [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Расчетно-Графическая работа ППД КД213А, Реферат ... 60°С.+85°С Общая таблица параметров |Предельные значения |Tk |Значения параметров при Т= 25?С |R т| |параметров при Т=25?С |max| |п-к| | |(Tп| ...
... при Т | ... | |В | |мкс | |п | ... | |мах], ... | |мА | ... | |Т?С| | | |tи(| | | |Iпр | |Iп|Uпр| | ... | |tпр| | | |(Iпр| |р,|, ... | |и,|и, ...


Расчет непосредственного преобразователя частоты [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Расчет непосредственного преобразователя частоты, Курсовая ... 06 Выбор силового трансформатора_07 Схема замещения одной фазы силового трансформатора и ее параметры_08 Выбор тиристоров_09 Расчет потерь мощности в ...
... приборов при коммутации тока. a) Для защиты силовых полупроводниковых вентилей от коммутационных перенапряжений в процессе их переключений, а также от ...


Электронны, квантовые приборы и микроэлектроника [нестрогое соответствие]
Коммуникации и связь, Электронны, квантовые приборы и микроэлектроника, Реферат Диоды с барьером Шотки, параметры, сравнение с обычными диодами, применения.
Диоды полупроводниковых ИМС реализуются на основе n-p-n транзисторов, причем их параметры зависят от схемы включения транзистора в качестве диода.


Расчёт и проектирование маломощных биполярных транзисторов [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Расчёт и проектирование маломощных биполярных транзисторов , Работа Курсовая ... 12 5.5 Расчет обратных токов коллектора 14 5.6 Расчет параметров предельного режима и определение толщины элементов кристаллической структуры 15 5.7 ...
... коллектора Uк ном=13В 3. Верхняя граничная частота f(=90МГц 4. Максимальная рассеивающая мощность Рк мах=60мВт 5. Максимальное напряжение коллектора ...


Разработка и исследование модели отражателя-модулятора (WinWord zip-1Mb) [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Разработка и исследование модели отражателя-модулятора (WinWord zip-1Mb) , Диплом и связанное с ним ... П,Ом |l/( |R(П,Ом | |0,125 |6,4 |0,325 |144 |0,525 |185 | |0,150 |13 |0,350 |168 |0,550 |166 | |0,175 |23 |0,375 |187 |0,575 |145 | |0,200 |36 |0,400 ...
Эквивалентная схема отражателя - модулятора с использованием диода. где Е1 - источник высокочастотных колебаний, навязанных зондирующим сигналом; ЕСМ ...


Физические основы электроники [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Физические основы электроники, Лекция ... изготовления перехода: сплавные, диффузионные, планарные, точечные, диоды Шоттки и др.; - материалу: германиевые, кремниевые, арсенидо-галлиевые и др. ...
... являются (рисунок 2.1): - максимальный прямой ток Iпр max; - падение напряжения на диоде при заданном значении прямого тока Iпр (Uпр ( 0.3...0,7 В для ...


Электронные цепи и приборы (шпаргалка) [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Электронные цепи и приборы (шпаргалка) , Шпаргалки ... напряжение U, то изменяется I в цепи, но т.к. U на диоде при изменении I остается постоянным (изменяется R диода), то и U в точках а, б - постоянно.
С для стабилизации низких U изгот-ся из Si с малым удельным R; чем выше стабилизируемое R, тем из более высокоомного материала выполняется диод.


Исследование эффекта автодинного детектирования в многоконтурном генераторе на диоде Ганна [нестрогое соответствие]
Технология, Исследование эффекта автодинного детектирования в многоконтурном генераторе на диоде Ганна, ... активных СВЧ-элементах для контроля | | |параметров материалов и сред. | | |2. Теоретическое исследование эффекта автодинного |12 | |детектирования в ...
... С3 и активного нелинейного сопротивления, определяемого по ВАХ диода I(U), элементы корпуса диода L3 , C4 , СВЧ-резонатор в виде последовательного C2 ...


Мультивибратор [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Мультивибратор, Курсовая ... 3,5 В; - обратный ток при Uобр=30 В не более 10 мкА; - прямое пороговое напряжение Uпр.пор>5 В. В качестве диода VD3 выбирается любой выпрямительный ...
... 150 мВт; максимальный ток коллектора Iк мах=10 мА, Uкб0 мах=30 В, Uэб0=3 В. По семейству выходных ВАХ выберем ток покоя транзистора VT1 Iк1=2 мА , при ...


ПРОЕКТИРОВАНИЕ И КОНСТРУИРОВАНИЕ СВЧ ИНТЕГРАЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, ПРОЕКТИРОВАНИЕ И КОНСТРУИРОВАНИЕ СВЧ ИНТЕГРАЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ, Курсовая В диодных генераторах и усилителях СВЧ используют диоды с различной природой образования отрицательного сопротивления, а именно: лавиннопролетные ...
... по отношению к назначению контролируемые параметры разделяют на определяющие, т.е. направленные на определение вида технического состояния, и ...


ref.by 2006—2022
contextus@mail.ru